2022年碳化硅上市公司龙头股名单一览(7

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以碳化硅（SiC）等为代表的宽禁带半导体材料被称为第三代半导体。与第一代、第二代半导体材料相比较，SiC 具有高导热率、高击穿场强、 高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，是目前发展最为成熟的宽禁带半导体材料之一。SiC 在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等方面具有明显性能优势，已广泛应用于大功率半导体器件、光伏逆变、智能电网、电动汽车、新能源并网、通 讯电源及卫星航空系统等。

以碳化硅晶片为衬底的上下游产业链图示如下：

碳化硅产业链（来源天科合达招股书）

产业链上下游企业（来源天科合达招股书）

以碳化硅晶片为衬底，通常使用化学气相沉积（CVD）方法，在晶片上淀积一层单晶形成外延片。其中，在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、 智能电网、航空航天等领域；在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）外延片，可进一步制成微波射频器件，应用于 5G 通讯、雷达等领域。

碳化硅应用领域

下面我们将分碳化硅衬底、碳化硅外延片、碳化硅应用器件、终端应用商、设备商、参股上市公司六类，简要介绍国内主要公司情况。

1、碳化硅衬底提供商：

国际上主要是美国CREE公司和II-VI公司，其中CREE公司市场份额超过50%，德国SiCrystal公司，国内公司主要是天科合达、山东天岳、中电科2所、露笑科技。国外巨头6英寸晶片生产已经很成熟，普遍具备8英寸晶片生产能力。

露笑科技：公司碳化硅业务主要为碳化硅衬底片和外延片的生产和销售。公司已储备国内最早从事碳化硅晶体生长研究的技术团队 —— 陈之战博士研究团队。目前公司已突破多项碳化硅长晶炉及长晶环节关键技术，已实现 6 英寸碳化硅衬底片试生产。公司自主研发的碳化硅长晶炉已实现销售，下游客户已陆续投产。2021 年公司将保持原有漆包线和光伏发电业务稳步发展的基础上，继续以碳化硅产业为战略中心，继续加大对于碳化硅的研发投入，加快推进公司半导体材料产能建设，努力将公司打造成专注于碳化硅的第三代半导体基材公司。

天科合达（已申报科创板）：已实现 2 英寸至 6 英寸 碳化硅晶片产品的规模化供应，8英寸碳化硅晶片产品仍在研发阶段。

山东天岳先进科技股份有限公司：宽禁带碳化硅半导体衬底材料研发与生产。已实现 4 英寸碳化硅晶片的规模化生产，并成功研制出6英寸碳化硅晶片，具备6英寸碳化硅晶片生产能力。

上海合晶（已申报科创板）：完成150mm 碳化硅衬底片研发及产业化项目前期可行性研究。

博蓝特（已申报科创板）：公司自成立以来，紧跟 LED 等半导体产业的发展趋势，深耕半导体材料领 域多年，主要从事新型半导体材料、器件及相关设备的研发和应用，着重于图形 化蓝宝石、碳化硅等半导体衬底、器件的研发、生产、销售，以及半导体制程设备的升级改造和销售，目前主要产品包括 PSS、碳化硅衬底以及光刻机改造设备。

2018年碳化硅衬底占有率

碳化硅衬底技术比较（来源上海合晶招股书）

2、碳化硅外延片：

国外核心企业主要以美国的Cree、 DowCorning、II-VI、日本的罗姆、三菱电机，德国的Infineon 等为主。其中，美国公司就占据全球70-80%的份额。技术上在向6英寸为主的方向过渡。国内的公司主要是瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、东莞市天域半导体科技有限公司。

瀚天天成电子科技（厦门）有限公司：主营研发、生产、销售碳化硅外延晶片，其原材料碳化硅（SiC）是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料。华润微、华为入股。

东莞市天域半导体科技有限公司：在2012年就实现了年产超2万片3英寸、4英寸碳化硅外延晶片的产业化能力，目前也可提供6英寸碳化硅外延晶片。

河北普兴电子科技股份有限公司：公司成立于 2000 年，是信息产业部电子第十三研究所控股的公司，其主要从事高性能半导体材料的外延研发和生产，其主要产品为 150-200mm 硅基外延片、氮化镓外延片和碳化硅单晶及外延片。

3、碳化硅下游器件厂商：

华润微：公司已将第三代半导体技术运用到自有产品与方案业务中，公司已实现了国内首 条 6 英寸商用碳化硅生产线的量产，1,200V 和 650V 工业级 SiC 肖特基二极管功率器件已登陆市场，同时公司正从材料、设计、制造、封装工艺开展硅基氮化镓 的研发。

三安光电：在广阔市场空间与国产替代需求下，公司在长沙设 立子公司湖南三安从事碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，项目正处于建设阶段。

赛微电子：报告期内，公司GaN业务积极推进，在GaN外延材料方面，公司第三代半导体外延材料制造项目（一期）逐步成熟并投产运行，掌握了业界领先的8英寸硅基GaN外延与6英寸碳化硅基GaN外延生长技术，积极展开与下游全球知名晶圆制造厂商、半导体设备厂商、器件设计公司以及高校、科研机构等的合作并进行交互验证，已形成产品序列并推向市场；在GaN器件方面，公司已陆续研发、推出不同规格的功率器件产品及应用方案，已推出数款GaN功率器件产品，完成件系统级验证和测试，在经历小批量试产后开始签订批量销售合同；公司继续与下游知名电源、家电及通讯企业展开合作，同时持续推动微波器件产品的研发。

斯达半导：2020 年，公司继续布局宽禁带功率半导体器件。在机车牵引辅助供电系统、新能源汽车行业控制器、光伏行业推出的各类 SiC 模块得到进一步的推广应用。公司应用于新能源汽车的车规级SiC 模块获得国内外多家著名车企和 Tier1 客户的项目定点，将对公司 2022 年-2028 年车规级 SiC模块销售增长提供持续推动力。

扬杰科技：公司瞄准第三代半导体材料行业发展趋势，公司在碳化硅功率器件等产品研发方面加大力度，以进一步满足公司后续战略发展需求，现已成功开发并向市场推出碳化硅模块及650V碳化硅SBD全系列产品， 1200V系列碳化硅SBD及碳化硅MOS已取得关键性进展，为实现半导体功率器件全系列产品的一站式供应奠定坚实的基础。

闻泰科技：加强在第三代半导体产品和 SiP 封装等创新方向布局 以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体技术是未来的发展趋势，公司将加大在第三代半导体领域投资，大力发展氮化镓和碳化硅技术。目前安世氮化镓功率器件已经通过车规级认证，开始向客户供货，碳化硅技术研发也进展顺利，预计在 2021年实现产品量产。

海特高新：公司目前已完成包括砷化镓、氮化镓、碳化硅等在内的6大类工艺产品的研发，提供五大类集成电路制程技术包括GaAs工艺的PHEMT、无源器件、GaN工艺的微波器件、电力电子器件、SiC工艺的二极管/三极管等，支持制造微波功率放大器、光电探测器、功率集成电路、激光器等产品，产品广泛应用于5G移动通信、AI人工智能、雷达、新能源汽车、消费类电子、光纤通讯、3D感知等领域。

苏州固得：公司继续加大推出新一代大功率二极管应用于5G电源，新能源充电桩，工业电源及光伏逆变领域，已完全取代进口产品并实现大规模量产，2021年公司会推出 6inch 碳化硅（SiC）产品以更好开拓新能源应用市场，进一步提升产品竞争力。

蓝海华腾：与比亚迪半导体联合开发，公司重点针对匹配碳化硅MOSFET功率模块的电机控制器的相关应用技术研究。

新洁能：第三代半导体功率器件平台：在第三代半导体功率器件产品研发方面，公司全球范围内积极寻找代工合作伙伴，目前已选定境内外的代工合作伙伴，1200V 新能源汽车用SiC MOSFET 和 650V PD 电源用 GaN HEMT 正在积极研发中。

捷捷微电：加快功率MOSFET、IGBT、碳化硅、氮化镓等新型电力半导体器件的研发和推广，从先进封装、芯片设计等多方面同步切入，快速进入新能源汽车电子（如电机马达和车载电子）、5G核心通信电源模块、智能穿戴、智能监控、光伏、物联网、工业控制和消费类电子等领域。

中车电气（已申报科创板）：公司建有 6 英寸双极器件、8 英寸 IGBT 和 6 英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司功率半导体器件应用于输配电、轨道交通和工业等多个领域，在输配电领域，公司生产的 IGBT 应用于乌东德工程、张北工程、如东工程以及厦门柔直、渝鄂柔直、苏南 STATCOM、江苏 UPFC 等多个项目，为我国柔性直流输电工程的建设提供核心基础器件支撑，晶闸管产品累积应用于国内外 23 个特高压直流输电工程和 7 个柔性直流输电工程；在轨道交通领域，公司生产的 3300V IGBT批量应用至干线机车等车型，1700V、3300V 等系列 IGBT 批量应用于地铁等车型，6500V IGBT 批量应用至中国标准动车组等车型；在其他工业领域，公司已为新能源汽车、风力发电、光伏发电、高压变频器等批量供应 IGBT 器件，750V 和 1200V IGBT 应用至新能源汽车，并已与国内多个龙头整车企业成为重要合作伙伴。公司生产的全系列高可靠性IGBT 产品打破了轨道交通核心器件和特高压输电工程关键器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车核心器件自主化问题。公司的“高性能 SiC SBD、MOSFET 电力电子器件产品研制与应用验证”项目已通过科技成果鉴定，实现了高性能 SiC SBD 五个代表品种和 SiC MOSFET 三个代表品种，部分产品已得到应用。

精进电动（已申报科创板）：2020年公司“第三代半导体”高功率碳化硅控制器产品，获得隶属于德国大众商用车集团 Traton 的瑞典斯堪尼亚、德国曼恩的量产配套项目。

瑞能半导（已申报科创板）：碳化硅器件目前主要包括碳化硅二极管和碳化硅 MOSFET 两类。截至报告期末，公司主要销售 650V 和 1200V 碳化硅极管，1200V MOSFET 处于样品验证阶段。相比于国外同行业可比公司，公司在碳化硅器件领域的产品线相对有限，市场份 额与国外同行业公司有一定差距。

北京世纪金光半导体有限公司：企业前身是中原半导体研究所，2018年2月1日6英寸碳化硅（SiC）器件生产线成功通线。

泰科天润半导体科技（北京）有限公司：公司在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，并在湖南浏阳建成6英寸碳化硅功率芯片生产线，可在4/6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。目前泰科天润的碳化硅器件650V/2A-100A、1200V/2A-50A、1700V/5A -50A、3300V/0.6A-50A等系列的产品已经投入批量生产，并推出了两款快充PFC电路专用的碳化硅二极管，产品质量可以比肩国际同行业的先进水平。

4、终端应用商：

比亚迪：新能源旗舰车型“汉”，首次搭载了「刀片电池」及高性能碳化硅电机控制模块，集安全、性能、豪华三 大优点于一体。

5、碳化硅设备商：

晶盛机电：公司研发的6英寸碳化硅外延设备，兼容4寸和6寸碳化硅外延生长。该设备为单片式设备，沉积速度、厚度均匀性及浓度均匀性等技术指标已到达先进水平。

北方华创：碳化硅（SiC）长晶炉、刻蚀机、 PVD、PECVD等第三代半导体设备批量供应市场。

上机数控：成功导入 WSK060 碳化硅切片机，使得 4 寸、6 寸的碳化硅材料在切割的时间、品质上均有较大提升，打破了国外进口设备的垄断。

京运通：公司高端装备制造业务主要产品包括光伏设备和半导体设备。光伏设备包括单晶硅生长炉、多晶硅铸锭炉、金刚线开方机、金刚线切片机、多晶检测自动化设备等。半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备等。

天通股份：开发的第三代半导体碳化硅、碳酸锂/铌酸锂压电晶体的晶体生长炉也已小批量供货。

至纯科技：公司的主营业务主要包括高纯工艺系统的设计、制造和安装调试；半导体湿法清洗设备研发、生产和销售。公司于 2019 年 3 月完成对波汇科技的收购，波汇科技主要业务为光传感应用及相关 光学元器件的研发、生产和销售。2019年订单中有中车 IGBT、瀚天天成碳化硅外延等产线。

中科仪（已申报科创板）：公司自主研发的第三代半导体碳化硅单晶制备设备与目前主流的晶体生长工艺匹配性好，具备 4 英寸和 6 英寸碳化硅晶体的生产能力。 公司与诸多国内一流的晶体生产厂商紧密合作，该产品的主流机型已经广泛应用 于第三代半导体衬底、高功率激光器制造领域，并成功实现高质量导电型碳化硅 晶体的量产。

6、参股碳化硅产业链公司：

天富能源：2020 年公司参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股，目前公司已持有北京天科合达半导体股份有限公司 10.657%的股份，成为该公司第二大股东。

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